КТ817Г. Биполярный транзистор
- Основные параметры КТ817Г
Основные параметры КТ817Г
Биполярный транзистор (n-p-n) большой мощности низкой частоты
h21э= 25
Uкэ нас. = 0,6 В
Iкбо=100 мкА
fгр=3 МГц
Ск= 60 пФ
Uкэ макс=80 В
Iк макс= 3 А
Pк макс=25 Вт
Биполярный транзистор (n-p-n) большой мощности низкой частоты
h21э= 25
Uкэ нас. = 0,6 В
Iкбо=100 мкА
fгр=3 МГц
Ск= 60 пФ
Uкэ макс=80 В
Iк макс= 3 А
Pк макс=25 Вт