BC856B. Биполярный транзистор
- Основные параметры BC856B
Основные параметры BC856B
Биполярный транзистор (p-n-p)
h21э= 470
fгр=100МГц
Uкэ макс=65 В
Iк макс= 100 мА
Pк макс=350 мВт
Корпус sot23
Биполярный транзистор (p-n-p)
h21э= 470
fгр=100МГц
Uкэ макс=65 В
Iк макс= 100 мА
Pк макс=350 мВт
Корпус sot23