BC808-16. Биполярный транзистор
- Основные параметры BC808-16
Основные параметры BC808-16
Биполярный транзистор (p-n-p)
h21э= 100
fгр=100МГц
Uкэ макс=25 В
Iк макс= 500 мА
Pк макс=310 мВт
Корпус sot23
Биполярный транзистор (p-n-p)
h21э= 100
fгр=100МГц
Uкэ макс=25 В
Iк макс= 500 мА
Pк макс=310 мВт
Корпус sot23